参数资料
型号: IRF6655TR1
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
产品变化通告: (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
标准包装: 1,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 62 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.8V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V
功率 - 最大: 2.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DirectFET? 等容 SH
供应商设备封装: DIRECTFET? SH
包装: 带卷 (TR)
IRF6655
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Vds
Id
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
Vgs
- DS
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
V gs(th)
I G I D
Current Sampling Resistors
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 15a. Gate Charge Test Circuit
15V
Fig 15b. Gate Charge Waveform
V (BR)DSS
tp
VDS
L
DRIVER
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
I AS
Fig 16a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 16b. Unclamped Inductive Waveforms
V GS
V DS
R D
D.U.T.
V DS
90%
R G
+
-
V DD
10%
V GS
10V
Pulse Width ≤ 1 μs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Duty Factor ≤ 0.1 %
6
Fig 17a. Switching Time Test Circuit
Fig 17b. Switching Time Waveforms
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PDF描述
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