- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录443 > IRF7220 (International Rectifier)MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7220 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 14V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 11A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8075pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7220 |
IRF7220
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-14
––– ––– V V GS = 0V, I D = -5mA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.006 –––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA
?
140 ––– R G = 6.2 ?
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
-0.60
8.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
.0082 0.012 V GS = -4.5V, I D = -11A ?
.0125 0.020 V GS = -2.5V, I D = -8.8A ?
––– ––– V V DS = V GS , I D = -250μA
––– ––– S V DS = -10V, I D = -11A
––– -5.0 V DS = -11.2V, V GS = 0V
μA
––– -100 V DS = -11.2V, V GS = 0V, T J = 70°C
––– -100 V GS = -12V
nA
––– 100 V GS = 12V
84 125 I D = -11A
13 20 nC V DS = -10V
37 55 V GS = -5.0V ?
19 ––– V DD = -10V
420 ––– I D = -11A
ns
1040 ––– R D = 0.91 ? ?
8075 ––– V GS = 0V
4400 ––– pF V DS = -10V
4150 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
-2.5
-88
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
160
147
-1.2
240
220
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -2.5A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -2.5A
di/dt = 100A/μs ?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
? Starting T J = 25°C, L = 1.8mH
R G = 25 ? , I AS = 11A. (See Figure 10)
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7233TR | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| IRF730ASTRRPBF | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK |
| IRF7321D2TR | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC |
| IRF7322D1TR | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| IRF7324D1TR | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7220GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF7220GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7220HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 14V 11A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 14V 11A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7220PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 12mOhms 84nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7220TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -11A, 12 mOhm, 84 nC Qg, SO-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。