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参数资料
| 型号： | IRF7220 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 14V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 11A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8075pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7220 |
IRF7220
10000
V G S = 0V,
f = 1kHz
10
I D = -11A
C is s = C g s + C g d , C d s SH ORTE D
9000
C rs s = C g d
C oss = C ds + C gd
8
V DS =-10V
C iss
8000
6
7000
4
6000
5000
C oss
C rss
2
4000
1
10
A
0
0
20
40
60
80
100
120
100
10
-V D S , D rain-to-So urc e Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150°C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100us
1
T J = 25°C
10
1ms
10ms
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
V G S = 0V
2.0
A
2.5
T A = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
100
4
-V S D , S ou rce-to-D ra in Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7233TR | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| IRF730ASTRRPBF | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK |
| IRF7321D2TR | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC |
| IRF7322D1TR | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7220GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF7220GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11A 12mOhm 84nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7220HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 14V 11A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 14V 11A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7220PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 12mOhms 84nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7220TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -11A, 12 mOhm, 84 nC Qg, SO-8 |
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