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参数资料
| 型号： | IRF7220 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 14V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 11A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8075pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7220 |
IRF7220
12
300
TOP
I D
-4.9A
10
8
6
4
2
250
200
150
100
50
BOTTOM
-8.8A
-11A
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
Starting T J , Junction Temperature ( C)
T C , Case Temperature
( ° C)
°
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
100
D = 0.50
Fig 10. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
10
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRF7220TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -11A, 12 mOhm, 84 nC Qg, SO-8 |
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