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参数资料
| 型号： | IRF7321D2TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7321D2
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
?
μA
nA
ns
V (BR)DSS
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-30
–––
–––
-1.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.042
0.076
–––
7.7
–––
–––
–––
–––
23
3.8
5.9
13
13
34
32
710
380
180
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
0.062 V GS = -10V, I D = -4.9A ?
0.098 V GS = -4.5V, I D = -3.6A ?
––– V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -15V, I D = -4.9A
-1.0 V DS = -24V, V GS = 0V
-25 V DS = -24V, V GS = 0V, T J = 55°C
100 V GS = -20V
-100 V GS = 20V
34 I D = -4.9A
5.7 nC V DS = -15V
8.9 V GS = -10V, See Fig. 6 ?
19 V DD = -15V
20 I D = -1.0A
51 R G = 6.0 ?
48 R D = 15 ? , ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current(Body Diode) –––
Pulsed Source Current (Body Diode) –––
–––
–––
-2.5
-30
A
V SD
t rr
Q rr
Body Diode Forward Voltage –––
Reverse Recovery Time (Body Diode) –––
Reverse Recovery Charge –––
-0.78
44
42
-1.0 V T J = 25°C, I S = -1.7A, V GS = 0V
66 ns T J = 25°C, I F = -1.7A
63 nC di/dt = 100A/μs ?
Schottky Diode Maximum Ratings
Parameter
Max. Units
Conditions
If (av)
Max. Average Forward Current
3.2
2.0
A
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, Tc = 25°C
See Fig.14 Tc = 70°C
I SM
Max. peak one cycle Non-repetitive
200
5μs sine or 3μs Rect. pulse
Following any rated
Surge current
20
A
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
with Vrrm applied
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Max. Units
Conditions
Vfm
Max. Forward voltage drop
0.57
0.77
0.52
0.79
V
If = 3.0, Tj = 25°C
If = 6.0, Tj = 25°C
If = 3.0, Tj = 125°C
If = 6.0, Tj = 125°C .
Irm
Max. Reverse Leakage current
0.30
37
mA
Vr = 30V Tj = 25°C
Tj = 125°C
Ct
dv/dt
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
310 pF
4900 V/μs
Vr = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
Rated Vr
( HEXFET is the reg. TM for International Rectifier Power MOSFET's )
2
www.irf.com
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