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参数资料
| 型号： | IRF7321D2TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7321D2
Power Mosfet Characteristics
100
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTTOM - 3.0V
100
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTTOM - 3.0V
10
-3.0V
10
-3.0V
T J = 25°C
T J = 150°C
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
A
10
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
A
10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25°C
2.0
1.5
-
I D = -4.9A
10
T J = 150°C
1.0
0.5
T J , Junction Temperature ( C)
1
3.0
V DS = -10V
20μs PULSE WIDTH
3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
A
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
-
V GS = -10V
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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