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参数资料
| 型号： | IRF7321D2TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7321D2
Schottky Diode Characteristics
100
10
T J = 150°C
T J = 125°C
T J = 25°C
Fig. 13 - Typical Values of
Reverse Current Vs. Reverse Voltage
1
160
V r = 80% Rated
140
120
100
80
R thJA = 62.5°C/W
Square wave
DC
0.1
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8
Forward Voltage Drop - V FM (V)
Forward Voltage Drop - V F (V)
1.0
60
40
D = 3/4
D = 1/2
D =1/3
20
D = 1/4
D = 1/5
Fig. 12 - Typical Forward Voltage Drop
Characteristics
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Average Forward Current - I F(AV) (A)
A
Fig.14 - Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7322D1TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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