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参数资料
| 型号： | IRF7410 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | IRF7410 |
IRF7410
www.irf.com
5
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJA
A
P
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal
Response
(Z
)
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
T , Case Temperature ( C)
-I
,
Drain
Current
(A)
°
C
D
VDS
VGS
Pulse Width
≤ 1 s
Duty Factor
≤ 0.1 %
RD
VGS
VDD
RG
D.U.T.
+
-
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off)
tf
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 10b. Switching Time Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7413Z | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFBF20STRR | 1.7 A, 900 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7410GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRF7410TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -16A, 7 mOhm, 91 nC Qg, SO-8 |
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