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参数资料
| 型号： | IRF7410 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | IRF7410 |
IRF7410
6
www.irf.com
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
R
DS(on)
,
Drain-to
-Source
On
Resistance
(
)
ID = -16A
0.0
10.0 20.0 30.0 40.0 50.0 60.0 70.0
-ID , Drain Current ( A )
0
0.005
0.01
0.015
0.02
RDS
(
on
)
,
Drain-to-Source
On
Resistance
(
)
VGS= -2.5V
VGS= -1.8V
VGS= -4.5V
Fig 14b. Gate Charge Test Circuit
Fig 14a. Basic Gate Charge Waveform
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
-3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
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PDF描述 |
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| IRF7413Z | HEXFET Power MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7410GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRF7410TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -16A, 7 mOhm, 91 nC Qg, SO-8 |
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