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参数资料
| 型号： | IRF7413QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7413QTRPBFDKR |
IRF7413QPbF
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
3.0V
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25°C
A
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150°C
A
0.1
1
10
0.1
1
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 150°C
T J = 25°C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 7.3A
1
3.0
3.5
V DS = 10V
20μs PULSE WIDTH
4.0 4.5
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V GS = 10V
A
100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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| IRF7413ZGTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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