- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录444 > IRF7413QTRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7413QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7413QTRPBFDKR |
IRF7413QPbF
SO-8 Package Details
Dimensions are shown in milimeters (inches)
D B
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
5
A .0532
A1 .0040
.0688
.0098
1.35
0.10
1.75
0.25
E
6
8
1
7
2
6
3
5
4
H
0.25 [.010]
A
b
c
D
E
e
.013 .020
.0075 .0098
.189 .1968
.1497 .1574
.050 BAS IC
0.33 0.51
0.19 0.25
4.80 5.00
3.80 4.00
1.27 BAS IC
e1
.025 BAS IC
0.635 BAS IC
H
.2284
.2440
5.80
6.20
6X
e
K
L
y
.0099
.016
0°
.0196
.050
8°
0.25
0.40
0°
0.50
1.27
8°
e1
A
C
y
K x 45°
8X b
0.25 [.010]
A1
C A B
0.10 [.004]
8X L
7
8X c
NOT ES :
1. DIMENS IONING & T OLERANCING PER AS ME Y14.5M-1994.
2. CONT ROLLING DIMENS ION: MILLIMET ER
3. DIMENS IONS ARE S HOWN IN MILLIMET ERS [INCHES ].
4. OUT LINE CONFORMS T O JEDEC OUT LINE MS -012AA.
5 DIMENS ION DOES NOT INCLUDE MOLD PROT RUS IONS .
MOLD PROT RUS IONS NOT T O EXCEED 0.15 [.006].
6 DIMENS ION DOES NOT INCLUDE MOLD PROT RUS IONS .
MOLD PROT RUS IONS NOT T O EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENS ION IS T HE LENGT H OF LEAD FOR S OLDERING T O
A S UBS T RAT E.
6.46 [.255]
FOOT PRINT
8X 0.72 [.028]
SO-8 Part Marking
EXAMPLE: T HIS IS AN IRF7101 (MOSFET )
3X 1.27 [.050]
8X 1.78 [.070]
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
XXXX
F7101
DAT E CODE (YWW)
P = DESIGNAT ES LEAD-FREE
PRODUCT (OPT IONAL)
Y = LAS T DIGIT OF T HE YEAR
WW = WEEK
A = AS S EMBLY S IT E CODE
LOT CODE
PART NUMBER
Notes:
1. For an Automotive Qualified version of this part please see http://www.irf.com/product-info/auto/
2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
www.irf.com
8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7416QTRPBF | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC |
| IRF7421D1TR | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| IRF7422D2TR | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC |
| IRF7452QTRPBF | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
| IRF7452TR | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7413TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7413TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7413TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| IRF7413Z | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7413ZGTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。