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参数资料
| 型号： | IRF7416QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 5.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7416QTRPBFDKR |
IRF7416QPbF
Static Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-30
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = -250 μ A
Δ V (BR)DSS / Δ T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– -0.024 –––
V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA
R DS(on)
V GS(th)
gfs
I DSS
I GSS
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
-1.0
5.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.020
0.035
-2.04
–––
-1.0
-25
-100
100
Ω
V
S
μ A
nA
V GS = -10V, I D = -5.6A
V GS = -4.5V, I D = -2.8A
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V DS = -10V, I D = -2.8A
V DS = -24V, V GS = 0V
V DS = -24V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = -20V
V GS = 20V
Dynamic Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Q g
Total Gate Charge
–––
61
92
I D = -5.6A
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
22
18
49
59
60
1700
890
410
12
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
ns
pF
V DS = -24V
V GS = -10V, See Fig. 6 & 9
V DD = -15V
I D = -5.6A
R G = 6.2 Ω
R D = 2.7 Ω, See Fig. 10
V GS = 0V
V DS = -25V
? = 1.0MHz, See Fig. 5
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
-3.1
-45
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
56
99
-1.0
85
150
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -5.6A, V GS = 0V
T J = 25°C,I F = -5.6A
di/dt = 100A/ μ s
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 25mH
R G = 25 Ω , I AS = -5.6A. (See Figure 12)
2
? I SD ≤ -5.6A, di/dt ≤ 100A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec.
www.irf.com
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