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参数资料
| 型号： | IRF7416QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 5.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7416QTRPBFDKR |
IRF7416QPbF
4000
3000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss =C ds +C gd
20
16
I D = -5.6A
V DS = -24V
V DS = -15V
C iss
12
2000
C oss
8
1000
C rss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
SEE FIGURE 9
60 80
A
100
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100us
T J = 150°C
10
T J = 25°C
10
1ms
V GS = 0V
T A = 25 ° C
1
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
A
10ms
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1 1 10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRF7452QTRPBF | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
| IRF7452TR | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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