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参数资料
| 型号： | IRF7526D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7526D1
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
?
––– R G = 6.2 ?
V (BR)DSS
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-30
–––
–––
-1.0
0.94
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.17
0.30
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.5
1.3
2.5
9.7
12
19
9.3
180
87
42
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
0.20 V GS = -10V, I D = -1.2A ?
0.40 V GS = -4.5V, I D = -0.60A ?
––– V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -10V, I D = -0.60A
-1.0 V DS = -24V, V GS = 0V
μA
-25 V DS = -24V, V GS = 0V, T J = 125°C
-100 V GS = -20V
nA
100 V GS = 20V
11 I D = -1.2A
1.9 nC V DS = -24V
3.7 V GS = -10V, See Fig. 6 ?
––– V DD = -15V
––– I D = -1.2A
ns
––– R D = 12 ?, ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current(Body Diode)
Pulsed Source Current (Body Diode)
–––
–––
–––
–––
-1.25
-9.6
A
V SD
t rr
Q rr
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time (Body Diode)
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
30
37
-1.2 V T J = 25°C, I S = -1.2A, V GS = 0V
45 ns T J = 25°C, I F = -1.2A
55 nC di/dt = 100A/μs ?
Schottky Diode Maximum Ratings
Parameter
Max. Units
Conditions
I F(av)
I SM
Max. Average Forward Current
Max. peak one cycle Non-repetitive
Surge current
1.9
1.3
120
11
A
A
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, T A = 25°C
See Fig. 14 T A = 70°C
5μs sine or 3μs Rect. pulse Following any rated
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
with V RRM applied
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Max. Units
Conditions
V FM
Max. Forward voltage drop
0.50
0.62
0.39
0.57
V
I F = 1.0A, T J = 25°C
I F = 2.0A, T J = 25°C
I F = 1.0A, T J = 125°C
I F = 2.0A, T J = 125°C .
I RM
Max. Reverse Leakage current
0.06
16
mA
V R = 30V T J = 25°C
T J = 125°C
C t
dv/dt
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
92 pF
3600 V/μs
V R = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
Rated V R
( HEXFET is the reg. TM for International Rectifier Power MOSFET's )
2
www.irf.com
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