- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录444 > IRF7526D1TR (International Rectifier)MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7526D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7526D1
Micro8 TM Package Details
LE AD A SSIGN M EN TS
INC H ES
M ILLIME TE RS
D
-B-
3
D D D D
D1 D1 D2 D2
D IM
A
M IN
.0 36
M AX
.044
MIN
0 .91
M AX
1.11
A1
.0 04
.008
0 .10
0.20
8 7 6 5
8 7 6 5
B
.0 10
.014
0 .25
0.36
3
E
8 7 6 5
H
S IN G LE
D UAL
C
D
.005
.116
.007
.120
0.13
2.95
0.18
3.05
-A-
0.2 5 (.010)
M
A
M
1 2 3 4
1 2 3 4
e
.0256 B ASIC
0.65 BAS IC
1 2 3 4
e1
.0128 B ASIC
0.33 BAS IC
e
6X
S S S G
S 1 G 1 S2 G 2
E
H
L
θ
.1 16
.188
.016
0°
.120
.198
.026
6°
2.95
4.78
0.4 1
0°
3.0 5
5.03
0.66
6°
e1
θ
RE C OM M E ND ED F O O TP RIN T
-C-
B
8X
A1
A
0.10 (.004)
L
C
1.04
( .0 41 )
8X
0.38
( .015 )
8X
8X
8X
0.0 8 (.0 03)
M
C A S
B S
3.2 0
4.2 4
5.2 8
N O TE S :
1 DIME N S ION IN G A N D T O L E RA N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5M -1 9 8 2 .
( .126 )
( .167 ) ( .2 08 )
2 CO N T R OL L IN G DIME N S ION : INC H .
3 DIME N S ION S D O N O T INC L U D E M O L D F L A S H .
Part Marking
www.irf.com
0.65
( .02 56 )
6X
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7601TR | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 |
| IRF7603TR | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 |
| IRF7604TRPBF | MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 |
| IRF7604TR | MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 |
| IRF7607 | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7526D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7530 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm) |
| IRF7530PBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7530PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7530TR | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。