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参数资料
| 型号： | IRF7526D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7526D1
Schottky Diode Characteristics
10
100
10
1
0.1
T J = 15 0 °C
1 2 5 °C
1 0 0°C
7 5°C
5 0 °C
0.01
2 5 °C
0.001
0.0001
A
0
5
10
15
20
25
30
1
T J = 1 50°C
T J = 1 25°C
T J = 2 5°C
R eve rse V o lta ge - V R (V )
Fig. 13 - Typical Values of Reverse
Current Vs. Reverse Voltage
160
140
120
100
80
V r = 8 0 % R ated
R t hJA = 1 0 0 °C /W
Sq uare w ave
60
40
D
D
D
D
= 3 /4
= 1 /2
= 1 /3
= 1 /4
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
20
D
= 1 /5
DC
F Forward Voltage Drop - V V F M (V) (V )
orwa rd V oltage D ro p -
F
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
A
A v era ge F orw ard C urrent - I F(A V ) (A )
Fig. 12 -Typical Forward Voltage Drop
Characteristics
Fig.14 - Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7530PBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7530PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7530TR | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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