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参数资料
| 型号： | IRF7526D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7526D1
Power Mosfet Characteristics
1000
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
1
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 9. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
1.5
0.60
0.50
1.0
V G S = -4.5V
0.40
I
= -2.0A
0.30
0.5
0.20
V G S = -1 0V
0.0
0
1
2
3
4
A
0.10
3
6
9
12
15
A
-I D , D rain C urrent (A )
Fig 10. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
www.irf.com
-V GS , G ate-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 11. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7530PBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7530PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7530TR | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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