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参数资料
| 型号： | IRF7663TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2520pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7663DKR |
IRF7663
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-20
–––
––– V V GS = 0V, I D = -250uA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.01
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA
0.020 V GS = -4.5V, I D = -7.0A ?
0.040 V GS = -2.5V, I D = -5.1A ?
––– R G = 6.2 ?
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
-0.60
14.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
30
5.0
7.0
11
100
125
172
2520
615
375
?
-1.2 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -10V, I D = -7.0A
-1.0 V DS = -16V, V GS = 0V
μA
-25 V DS = -16V, V GS = 0V, T J = 70°C
-100 V GS = -12V
nA
100 V GS = 12V
45 I D = -6.0A
7.5 nC V DS = -10V
10.5 V GS = -5.0V ?
––– V DD = -10V
––– I D = -6.0A
ns
––– R D = 1.64 ? ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -10V
––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
integral reverse
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
70
50
-1.8
-66
-1.2
105
75
A
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
G
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = -7.0A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -2.5A
di/dt = 100A/μs ?
D
S
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
? Starting T J = 25°C, L = 17.8mH
R G = 25 ? , I AS = -3.6A. (See Figure 10)
www.irf.com
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