参数资料
型号: IRF7663TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
产品变化通告: Product Discontinuation 08/Jul/2011
产品目录绘图: IR Hexfet Micro-8
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2520pF @ 10V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: Micro8?
包装: 标准包装
其它名称: IRF7663DKR
IRF7663
Package Outline
Micro8 ?
Dimensions are shown in millimeters (inches)
L E A D A S S IG N M E N T S
IN C H E S
M IL L IM E T E R S
D
-B -
3
D D D D
D1 D1 D2 D2
D IM
A
M IN
.0 3 6
M AX
.0 4 4
M IN
0 .9 1
MAX
1 .1 1
A1
.0 0 4
.0 0 8
0 .1 0
0 .2 0
8 7 6 5
8 7 6 5
B
.0 1 0
.0 1 4
0 .2 5
0 .3 6
3
E
8 7 6 5
H
S IN G L E
DUAL
C
D
.0 0 5
.1 1 6
.0 0 7
.1 2 0
0 .1 3
2 .9 5
0.18
3.05
-A -
0 .2 5 (.0 1 0 )
M
A
M
1 2 3 4
1 2 3 4
e
.0 2 5 6 B A S IC
0 .6 5 B A S IC
1 2 3 4
e1
.0 1 2 8 B A S IC
0 .3 3 B A S IC
e
6X
S S S G
S1 G 1 S2 G 2
E
H
L
θ
.1 1 6
.1 8 8
.0 1 6
.1 2 0
.1 9 8
.0 2 6
2 .9 5
4 .7 8
0 .4 1
3 .0 5
5 .0 3
0 .6 6
e1
θ
R E C O M M E N D E D F O O T P R IN T
-C -
B
8X
A 1
A
0 .1 0 (.0 0 4 )
L
C
1 .0 4
( .0 4 1 )
8X
0 .3 8
( .0 1 5 )
8X
8X
8X
0 .0 8 (.0 0 3 )
M
C A S
B
S
3 .2 0
4 .2 4
5 .2 8
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G A N D TO L E R A N C IN G P E R A N S I Y 14 .5M -1 982 .
( .1 2 6 )
( .1 6 7 ) ( .2 0 8 )
2 C O N TR O LL IN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 D IM E N S IO N S D O N O T IN C LU D E M O LD F L AS H .
Part Marking Information
Micro8 ?
0 .6 5
( .02 5 6 )
6X
EX AM PLE : T H IS IS A N IR F 7501
D A T E C O D E (YW W )
A
Y = LA ST D IG IT O F YEA R
W W = W EE K
45 1
75 01
P AR T N U M B ER
TOP
6
www.irf.com
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IRF7665S2TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 14.7A 60mOhm 8.3nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7665S2TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Transistor
IRF7665S2TRPBF 功能描述:MOSFET 100V DIGITAL AUDIO 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube