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参数资料
| 型号： | IRF7663TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2520pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7663DKR |
IRF7663
9.0
300
I D
7.5
TOP
-1.6A
-2.9A
6.0
4.5
3.0
240
180
120
BOTTOM -3.6A
1.5
60
0.0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
100
T C , Case Temperature ( ° C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
D = 0.50
0.20
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 10. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
10
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
t 1
t 2
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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