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参数资料
| 型号： | IRF7663TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2520pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7663DKR |
IRF7663
100
VGS
TOP -7.00V
-5.00V
-4.50V
-3.50V
-3.00V
-2.70V
-2.50V
BOTTOM -2.25V
100
VGS
TOP -7.00V
-5.00V
-4.50V
-3.50V
-3.00V
-2.70V
-2.50V
BOTTOM -2.25V
10
-2.25V
20μs PULSE WIDTH
10
-2.25V
20μs PULSE WIDTH
1
T J = 25 ° C
1
T J = 150 ° C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
V DS = -15V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = - 8.2A
10
2.0
2.5
3.0
20μs PULSE WIDTH
3.5
4.0
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = -4.5V
80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( C)
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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