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参数资料
| 型号： | IRF7805QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF7805QTRPBFDKR |
IRF7805QPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
R DS(on)
V GS(th)
I DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
30
–––
1.0
–––
–––
–––
9.2
–––
–––
–––
–––
11
3.0
70
10
V
m Ω
V
μ A
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V GS = 4.5V, I D = 7.0A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V DS = 30V, V GS = 0V
V DS = 24V, V GS = 0V
–––
–––
150
V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 100°C
I GSS
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q sw
Q oss
R G
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
3.7
1.4
6.8
8.2
3.0
–––
16
20
38
16
100
-100
31
–––
–––
–––
11.5
3.6
1.7
–––
–––
–––
–––
nA
nC
nC
Ω
ns
V GS = 12V
V GS = -12V
V GS = 5.0V
V DS = 16V
I D = 7.0A
V DS = 16V, V GS = 0V
V DD = 16V, V GS = 4.5V
I D = 7.0A
R G = 2 Ω
Resistive Load
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
V SD
Q rr
Q rr(s)
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Charge
(with Parallel Schottky)
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
88
55
2.5
106
1.2
–––
–––
A
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 7.0A, V GS = 0V
di/dt = 700A/ μ s
V DS = 16V, V GS = 0V, I S = 7.0A
di/dt = 700A/ μ s (with 10BQ040)
V DS = 16V, V GS = 0V, I S = 7.0A
Notes:
?
?
?
?
?
?
2
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%.
When mounted on 1 inch square copper board, t < 10 sec.
Typ = measured - Q oss
R θ is measured at T J of approximately 90°C.
Devices are 100% tested to these parameters.
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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