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参数资料
| 型号： | IRF7805QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF7805QTRPBFDKR |
Typical Characteristics
IRF7805QPbF
Fig 1. Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 2. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
10
T J = 150 ° C
1
T J = 25 ° C
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
V GS = 0 V
0.8
0.9
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 3. Typical Rds(on) vs. Gate-to-Source Voltage
100
D = 0.50
Fig 4. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
10
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.1
0.001
0.01
0.1
1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
10 100
1000
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
www.irf.com
Figure 5. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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