参数资料
型号: IRF9610SPBF
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 3/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3 欧姆 @ 900mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: IRF9610SPBFCT
IRF9610SPBFCT-ND
IRF9610S, SiHF9610S
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
- 2.40
- 2.40
V GS = - 10, - 9, - 8 V
-7V
V GS = - 10, - 9, - 8, - 7 V
- 1.92
- 1.92
- 1.44
- 0.96
- 0.48
0.00
80 μs Pulse Test
-6V
-5V
-4V
- 1.44
- 0.96
- 0.48
0.00
80 μs Pulse Test
-6V
-5V
-4V
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
0
-2
-4
-6
-8
- 10
91081_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
91081_03
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Saturation Characteristics
- 2.40
- 1.92
- 1.44
- 0.96
T J = - 55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
10 2
5
2
10
5
2
1
Operation in this area limited
by R DS(on)
100 μs
1 ms
- 0.48
80 μs Pulse Test
5
2
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
10 ms
10
0.00
0
-2
-4
V DS > I D(on) x R DS(on) max.
-6 -8 - 10
0.1
1
2
5
Single Pulse
2 5
10 2
2
5
10 3
91081_02
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Transfer Characteristics
91081_04
Negative V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 4 - Maximum Safe Operating Area
2.0
1.0
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.2
0.1
P DM
t 1
0.05
0.02
0.01
0.05
0.02
0.01
Single Pulse (Transient
Thermal Impedence)
t 2
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
2. Per Unit Base = R thJC = 6.4 °C/W
3. T JM - T C = P DM Z thJC (t)
10 -5
2
5
10 -4
2
5
10 -3
2
5
10 -2
2
5
0.1
2
5
1.0
2
5
10
91081_05
t 1 , Square Wave Pulse Duration (s)
Fig. 5 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to.Case vs. Pulse Duration
S12-1558-Rev. D, 02-Jul-12
3
Document Number: 91081
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