- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录445 > IRF9610SPBF (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF9610SPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | IRF9610SPBFCT IRF9610SPBFCT-ND |
IRF9610S, SiHF9610S
www.vishay.com
R D
Vishay Siliconix
V DS
- 10 V
Q G
R g
V GS
D.U.T.
Q GS
Q GD
V DD
- 10 V
V G
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Charge
Fig. 17a - Switching Time Test Circuit
Fig. 18a - Basic Gate Charge Waveform
Current regulator
Same type as D.U.T.
V GS
10 %
90 %
V DS
t d(on)
t r
t d(off) t f
12 V
V GS
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
- 3 mA
I G
D.U.T.
I D
V DS
Current sampling resistors
Fig. 17b - Switching Time Waveforms
Fig. 18b - Gate Charge Test Circuit
S12-1558-Rev. D, 02-Jul-12
6
Document Number: 91081
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9630STRLPBF | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK |
| IRF9Z14STRLPBF | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK |
| IRF9Z20 | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB |
| IRF9Z24NSTRR | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| IRF9Z24STRLPBF | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9610STRL | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9610STRR | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9611 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-220AB |
| IRF9612 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 900MA I(D) | TO-220AB |
| IRF9613 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 900MA I(D) | TO-220AB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。