参数资料
型号: IRF9610SPBF
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 9/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3 欧姆 @ 900mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: IRF9610SPBFCT
IRF9610SPBFCT-ND
AN826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR D 2 PAK: 3-Lead
0.420
(10.668)
0.145
(3.683)
0.135
(3.429)
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Document Number: 73397
11-Apr-05
0.200
(5.080)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
0.050
(1.257)
www.vishay.com
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