型号: | IRFD014 |
厂商: | VISHAY SILICONIX |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 1.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | HVMDIP-4 |
文件页数: | 3/9页 |
文件大小: | 2019K |
代理商: | IRFD014 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFD211 | 600 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
IRFI644G | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
IRFL214 | 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
IRFM014AD84Z | 2.8 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFP054PBF | 70 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFD014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRFD014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD015 | 制造商:INT 功能描述:IRFD010 IR |
IRFD020 | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD020PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |