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参数资料
| 型号： | IRFD014 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 1.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HVMDIP-4 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 2019K |
| 代理商： | IRFD014 |
Document Number: 91361
www.vishay.com
Revision: 06-Sep-10
1
Package Information
Vishay Siliconix
HVM DIP (High voltage)
Note
1. Package length does not include mold flash, protrusions or gate burrs. Package width does not include interlead flash or protrusions.
INCHES
MILLIMETERS
DIM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
A
0.310
0.330
7.87
8.38
E
0.300
0.425
7.62
10.79
L
0.270
0.290
6.86
7.36
ECN: X10-0386-Rev. B, 06-Sep-10
DWG: 5974
0.248 [6.29]
0.240 [6.10]
0.197 [5.00]
0.189 [4.80]
0.024 [0.60]
0.020 [0.51]
0.160 [4.06]
0.140 [3.56]
0.180 [4.57]
0.160 [4.06]
4 x
0.100 [2.54] typ.
A
L
0.045 [1.14]
0.035 [0.89]
2 x
0.043 [1.09]
0.035 [0.89]
0.094 [2.38]
0.086 [2.18]
0.017 [0.43]
0.013 [0.33]
0° to 15°
2 x
E min.
E max.
0.133 [3.37]
0.125 [3.18]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFD014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRFD020PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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