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参数资料
| 型号： | IRFD120 |
| 厂商： | INTERSIL CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| 中文描述： | 1300 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | HEXDIP-4 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | IRFD120 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFD120 Rev. B
FIGURE 16. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
g(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
g(REF)
0
IRFD120
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRFD9110 | 0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD120PBF | 功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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