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参数资料
| 型号： | IRFI644G |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, TO-220, FULLPAK-3 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 1398K |
| 代理商： | IRFI644G |
www.vishay.com
Document Number: 91151
6
S-81290-Rev. A, 16-Jun-08
IRFI644G, SiHFI644G
Vishay Siliconix
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Q
GS
Q
GD
Q
G
VG
Charge
V
GS
D.U.T.
3 mA
V
GS
V
DS
I
G
I
D
0.3 F
0.2 F
50 k
Ω
12 V
Current regulator
Current sampling resistors
Same type as D.U.T.
+
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFL214 | 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| IRFM014AD84Z | 2.8 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFP054PBF | 70 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
| IRFP140 | 31 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
| IRFP152 | 34 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI644GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI650B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFI650BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI654B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| IRFI654BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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