参数资料
型号: IRFL214
厂商: VISHAY SILICONIX
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: SOT-223, 4 PIN
文件页数: 5/9页
文件大小: 925K
代理商: IRFL214
Document Number: 91194
www.vishay.com
S10-1257-Rev. C, 31-May-10
5
IRFL214, SiHFL214
Vishay Siliconix
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Pulse width
≤ 1 s
Duty factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
g
D.U.T.
10 V
+
-
V
DS
V
DD
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
相关PDF资料
PDF描述
IRFM014AD84Z 2.8 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFP054PBF 70 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
IRFP140 31 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
IRFP152 34 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
IRFR110TRR 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFL214PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFL214TR 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFL214TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFL218 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFL30N20D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262