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参数资料
| 型号： | IRFP140N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *IRFP140N |
IRFP140N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
100
––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.11 –––
––– 0.052
V/°C
?
Reference to 25°C, I D = 1mA ?
V GS = 10V, I D = 16A ?
44 ––– R G = 5.1 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– ––– S V DS = 50V, I D = 16A ?
––– 25 V DS = 100V, V GS = 0V
μA
––– 250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– 100 V GS = 20V
nA
––– -100 V GS = -20V
––– 94 I D = 16A
––– 15 nC V DS = 80V
––– 43 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
8.2 ––– V DD = 50V
39 ––– I D = 16A
ns
33 ––– R D = 3.0 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
––––––
5.0
13
–––
– – – – – –
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
––– 1400 ––– V GS = 0V
––– 330 ––– pF V DS = 25V
––– 170 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
170
1.1
33
110
1.3
250
1.6
A
V
ns
μC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 16A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 16A
di/dt = 100A/μs ??
G
D
S
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 2.0mH
R G = 25 ? , I AS = 16A. (See Figure 12)
2
? I SD ≤ 16A, di/dt ≤ 210A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRF540N data and test conditions.
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRFP250 | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP140N_R4942 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP140NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 27A 52mOhm 62.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP140NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRFP140PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 31 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP140R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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