参数资料
型号: IRFP140N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 33A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
功率 - 最大: 140W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP140N
IRFP140N
L
V DS
D.U.T.
700
600
TO P
I D
6 .6A
1 1A
- DD
R G
10 V
t p
I AS
0.01 ?
+
V
500
400
B O TTO M
16 A
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
t p
300
200
100
V DD
0
V D D = 25 V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
I AS
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
Charge
I G
I D
Current Sampling Resistors
6
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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IRFP140NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 27A 52mOhm 62.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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