参数资料
型号: IRFP140N
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 33A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
功率 - 最大: 140W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP140N
IRFP140N
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTO M 4.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5 V
4.5V
20μ s P U LS E W ID TH
2 0μ s P U L S E W ID TH
1
T C = 2 5°C
A
1
T C = 17 5°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V D S , D rain-to-S ourc e Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 2 5 °C
3.0
2.5
2.0
I D = 2 7A
10
T J = 1 75 °C
1.5
1.0
0.5
V DS = 5 0V
1
4
5
6
7
2 0μ s P U L S E W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160 180
V G S , G ate-to -So urce Voltag e (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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参数描述
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IRFP140NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 27A 52mOhm 62.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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