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参数资料
| 型号： | IRFS3207PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 387K |
| 代理商： | IRFS3207PBF |
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www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL3207PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRFS3307ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS4310ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4310ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS3207TRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRFS3207TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3207ZPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3207ZPBF/010493-1/GE | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, TO GE AVIATION DWG 010493-1 - Rail/Tube |
| IRFS3207ZTRRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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