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参数资料
型号： IRFS3207PBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件页数： 6/12页
文件大小： 387K
代理商： IRFS3207PBF
6
www.irf.com
Fig 16.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VG
ID = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250μA
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
100
200
300
400
QR
IF = 30A
VR = 64V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
2
4
6
8
10
12
14
16
IR
IF = 30A
VR = 64V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
100
200
300
400
QR
IF = 45A
VR = 64V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
2
4
6
8
10
12
14
16
IR
IF = 45A
VR = 64V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
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IRFS3207ZPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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