- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384498 > IRFS3207PBF (International Rectifier) HEXFET㈢Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFS3207PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 387K |
| 代理商： | IRFS3207PBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
70
80
90
100
V(
20
30
40
50
60
70
80
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
E
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
1000
2000
3000
4000
EA
ID
TOP
12A
16A
BOTTOM
75A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
DC
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
50
100
150
200
ID
Limited By Package
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL3207PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRFS3307ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL3307ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFS4310ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4310ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS3207TRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRFS3207TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3207ZPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS3207ZPBF/010493-1/GE | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, TO GE AVIATION DWG 010493-1 - Rail/Tube |
| IRFS3207ZTRRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。