参数资料
型号: IRFU1010ZPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 10/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 毫欧 @ 42A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 25V
功率 - 最大: 140W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRFU1010ZPBF
IRFR/U1010ZPbF
I-Pak (TO-251AA) Package Outline
I-Pak (TO-251AA) Part Marking Information
E XAMPL E : T H IS IS AN IR F U120
WIT H AS S E MB L Y
LOT CODE 5678
AS S E MB L E D ON WW 19, 1999
IN T HE AS S E MB L Y L INE "A"
"P" in as s embly line
pos ition indicates "L ead-F ree"
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
AS S E MB LY
L OT CODE
IR F U 120
919A
56 78
PART NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 9 = 1999
WE E K 19
LINE A
OR
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
LOT CODE
IR F U 120
56 78
PART NU MB E R
DAT E CODE
P = DE S IGNAT E S L E AD-F RE E
PR ODU CT (OPT IONAL)
YE AR 9 = 1999
WE E K 19
A = AS S E MB LY S IT E CODE
Notes:
1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/
2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
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www.irf.com
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PDF描述
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M2012TXG13/108 SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V
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参数描述
IRFU1018EPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU110 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU110_R4941 功能描述:MOSFET TO-251AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU110A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFU110ATU 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube