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参数资料
| 型号： | IRFU1010ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU1010ZPBF |
IRFR/U1010ZPbF
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
10
10
4.5V
1
4.5V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
120
100
100
TJ = 25°C
10
TJ = 175°C
80
60
TJ = 175°C
1
TJ = 25°C
40
0.1
VDS = 25V
≤ 60μs PULSE WIDTH
20
0
VDS = 10V
380μs PULSE WIDTH
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
ID,Drain-to-Source Current (A)
Fig 4. Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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