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参数资料
| 型号： | IRFU1010ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU1010ZPBF |
IRFR/U1010ZPbF
VDS
L
15V
DRIVER
500
400
I D
TOP 7.6A
11A
BOTTOM 42A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
300
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
100
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Q G
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
10 V
V G
Q GS
Q GD
4.0
3.5
I D = 1.0mA
I D = 250μA
I D = 100μA
3.0
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
L
2.5
2.0
1.5
0
DUT
VCC
1.0
1K
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
6
Fig 14. Threshold Voltage vs. Temperature
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2012TXW13-DA | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| M2012TYW01-JC | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| M2012TYW01-JB | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| M2013TJW02 | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| M2012TXG13/108 | SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU1018EPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU110 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU110_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-251AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU110A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFU110ATU | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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