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参数资料
型号： IRG4PF40SD
厂商： International Rectifier
英文描述： Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述： FIT率/等效器件小时
文件页数： 11/35页
文件大小： 112K
代理商： IRG4PF40SD
HIGH TEMPERATURE REVERSE BIAS (HTRB)
T0220 Package
Junction Temperature:
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vge = 0V
Vce = 80% of maximum rated BVces
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
VOLTAGE QTY
MAX
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGBC20K
IRGBC30U
IRGB440U
9613
9605
9643
150
150
150
600
600
400
20
20
20
3.73E+06
3.73E+06
3.73E+06
245
245
245
TOTALS
60
6024 0
1.12E+07
82
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 11 of 35
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PDF描述
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IRG4PG40SD Fit Rate / Equivalent Device Hours
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参数描述
IRG4PF40UD 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PF50W 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PF50WD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PF50WD-201P 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRG4PF50WDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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