- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377518 > IRG4PF40SD (International Rectifier) Fit Rate / Equivalent Device Hours PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRG4PF40SD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 14/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PF40SD |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页当前第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页
HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
T0220 Package
Junction Temperature:
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
GATE
BIAS
QTY
ACTUAL
TEST
TIME
(hours)
2008 0
2008 0
2007 0
2054 0
#
MODE
FITs
(deg C)
(V)
9613
9605
9641
9643
150
150
150
150
20
20
20
20
20
20
20
20
3722
3722
3724
3639
TOTALS
80
8077 0
925
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 14 of 35
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PF40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PF40UD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PF50W | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PF50WD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PF50WD-201P | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRG4PF50WDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。