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参数资料
| 型号： | IRG4PF40SD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 13/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PF40SD |
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HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
Junction Temperature:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
LOW FREQUENCY ( Standard )
FAILURE RATE @
DEVICE
TYPE
TEMP
GATE
BIAS
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
0
0
DEV-HRS
FITs
(deg C)
(note b)
IRGBC20S
IRGBC40S
9544
9605
20
20
20
20
2.46E+05
2.46E+05
TOTALS
40
0
4.92E+05
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DATE
TEMP
QTY
ACTUAL
TYPE
BIAS
TIME
(hours)
MODE
FITs
(note a)
(V)
IRGBC30F
IRGBC30FD2
IRGBC30FD2
IRGBF30F
150
150
150
150
20
20
20
20
2008 0
2095 0
2007 0
2008 0
3722
3567
3724
3722
TOTALS
8118 0
921
NOTES
b. FAILURE MODES:
I
Quarterly Reliability Report
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PF40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PF40UD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PF50W | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PF50WD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PF50WD-201P | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRG4PF50WDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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