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参数资料
| 型号： | IRG4PF40SD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 9/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PF40SD |
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HIGH TEMPERATURE REVERSE BIAS (HTRB)
T0247 Package
Junction Temperature :
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vge = 0V
Vce = 80% of maximum rated BVces
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP VOLTAGE QTY
MAX
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
1080 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPC30FD2
IRGPC50FD2
9344
9237
150
150
600
600
20
59
2.01E+06
1.10E+07
456
83
TOTALS
79
3088 0
1.30E+07
70
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP VOLTAGE QTY
MAX
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
1008 0
2030 0
1080 0
1008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPC40U
IRGPC40U
IRGPC40UD2
IRG4PC40UD2
IRGPC50UD2
IRGPH60UD2
9538
9620
9237
9643
9346
9450
150
150
150
150
150
150
600
600
600
600
600
1200
20
20
20
20
20
10
3.73E+06
3.73E+06
1.87E+06
3.78E+06
2.01E+06
9.37E+05
245
245
489
243
456
977
TOTALS
110
9142 0
1.61E+07
57
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 9 of 35
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PF40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PF40UD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PF50W | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PF50WD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PF50WD-201P | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRG4PF50WDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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