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参数资料
| 型号： | IRGB4055PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Advanced Trench IGBT Technology |
| 中文描述： | 先进的沟道IGBT技术 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | IRGB4055PBF |
2
www.irf.com
Half sine wave with duty cycle = 0.25, ton=1μsec.
R
θ
is measured at
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Β
V
CES
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Min.
300
–––
–––
–––
–––
–––
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
Typ. Max. Units
–––
–––
0.23
–––
1.10
1.30
1.70
2.10
2.35
–––
1.95
–––
–––
5.0
-11
–––
2.0
25
100
–––
–––
100
–––
-100
38
–––
132
–––
42
–––
–––
–––
V
V/°C
V
V
V
V
V
mV/°C
μA
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
I
CES
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Collector-to-Emitter Leakage Current
I
GES
Gate-to-Emitter Forward Leakage
Gate-to-Emitter Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Collector Charge
Shoot Through Blocking Time
nA
g
fe
Q
g
Q
gc
t
st
S
nC
ns
E
PULSE
Energy per Pulse
μJ
C
iss
C
oss
C
rss
L
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Internal Collector Inductance
–––
–––
–––
–––
4280
200
125
5.0
–––
–––
–––
–––
pF
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
nH
L
E
Internal Emitter Inductance
–––
13
–––
Static Collector-to-Emitter Voltage
V
CE(on)
V
GE
= 15V, I
CE
= 110A, T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
CE
= 1mA
–––
705
–––
V
CE
= 300V, V
GE
= 0V
V
CE
= 300V, V
GE
= 0V, T
J
= 150°C
V
GE
= 30V
V
GE
= -30V
–––
915
–––
V
CE
= 25V, I
CE
= 35A
V
CE
= 200V, I
C
= 35A, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, V
GE
= 15V, R
G
= 5.1
L = 220nH, C= 0.40μF, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, R
G
= 5.1
,
T
J
= 25°C
L = 220nH, C= 0.40μF, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, R
G
= 5.1
,
T
J
= 100°C
V
GE
= 0V
= 1.0MHz, See Fig.13
Conditions
V
GE
= 0V, I
CE
= 1 mA
Reference to 25°C, I
CE
= 1mA
V
GE
= 15V, I
CE
= 35A
V
GE
= 15V, I
CE
= 110A
V
GE
= 15V, I
CE
= 200A
V
CE
= 30V
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| IRGB4061DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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