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参数资料
| 型号： | IRGB4055PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Advanced Trench IGBT Technology |
| 中文描述： | 先进的沟道IGBT技术 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | IRGB4055PBF |
www.irf.com
3
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VCE (V)
0
50
100
150
200
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
Bottom
Fig 1. Typical Output Characteristics @ 25°C
Fig 3. Typical Output Characteristics @ 125°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VCE (V)
0
50
100
150
200
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
Bottom
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VCE (V)
0
50
100
150
200
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
Bottom
Fig 4. Typical Output Characteristics @ 150°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VCE (V)
0
50
100
150
200
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
Bottom
Fig 2. Typical Output Characteristics @ 75°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
5
10
15
20
VC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
IC = 35A
Fig 5. Typical Transfer Characteristics
Fig 6. V
CE(ON)
vs. Gate Voltage
0
5
10
15
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
300
IC
TJ = 150°C
TJ = 25°C
10μs PULSE WIDTH
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PDF描述 |
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| IRGB4061DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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