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参数资料
| 型号： | IRGB4055PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Advanced Trench IGBT Technology |
| 中文描述： | 先进的沟道IGBT技术 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | IRGB4055PBF |
www.irf.com
5
0
50
100
150
200
VCE, Collector-toEmitter-Voltage(V)
10
100
1000
10000
100000
C
Cies
Coes
Cres
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Cies = Cge + Cgd, Cce SHORTED
Cres = Cgc
Coes = Cce + Cgc
Fig 13. Typical Capacitance vs. Collector-to-Emitter Voltage
0
25
50
75
100
125
150
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
IC = 30A
IC = 35A
Fig 14. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Emitter Voltage
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
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PDF描述 |
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