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参数资料
| 型号： | IRGB4059DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复DIODEINSULATED栅双极晶体管与超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | IRGB4059DPBF |
IRGB4059DPbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 175°C; V
CE
= 15V
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
IC
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
10
20
30
40
50
60
Pt
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
IC
Fig. 3
- Forward SOA,
T
C
= 25°C; T
J
≤
175°C
1
10
100
1000
VCE (V)
0.1
1
10
100
IC
10 μs
100 μs
1ms
DC
0
2
4
6
8
VCE (V)
0
4
8
12
16
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0
2
4
6
8
VCE (V)
0
4
8
12
16
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRGB4061DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4064DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4065PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 70A 3PIN TO-220 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220 |
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