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参数资料
| 型号： | IRGB4059DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复DIODEINSULATED栅双极晶体管与超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | IRGB4059DPBF |
IRGB4059DPbF
www.irf.com
9
Fig. WF1
- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 175°C using Fig. CT.4
Fig. WF2
- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 175°C using Fig. CT.4
@ T
J
= 150°C using CT.4
time (μS)
-100
0
100
200
300
400
500
11.90
12.10
12.30
Time (μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
E
ON
Loss
TEST
90% test
t
10% test CURRE
5% V
CE
tr
-100
0
100
200
300
400
500
-0.40
0.60
1.60
Time(μs)
V
C
-2
0
2
4
6
8
10
E
OFF
Loss
5% V
CE
5% I
CE
90% I
CE
tf
WF.3- Typ. Reverse Recovery Waveform
@ T
J
= 175°C using CT.4
WF.4- Typ. Short Circuit Waveform
@ T
J
= 25°C using CT.3
-15
-10
-5
0
5
10
-0.05
0.25
I
R
Peak
I
RR
Q
RR
t
RR
10%
Peak
I
RR
-100
0
100
200
300
400
500
-4.00
1.00
6.00
time (μS)
V
C
-10
0
10
20
30
40
50
I
C
V
CE
I
CE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRGB4064DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGB4060DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4061DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4064DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4065PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 70A 3PIN TO-220 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220 |
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