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参数资料
| 型号： | IRGB4059DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复DIODEINSULATED栅双极晶体管与超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | IRGB4059DPBF |
IRGB4059DPbF
6
www.irf.com
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V; T
J
= 175°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 4A; T
J
= 175°C
Fig. 24
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 4A, L=600μH
Fig. 23
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 22
- Typ. V
GE
vs Short Circuit Time
V
CC
=400V, T
C
=25°C
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 175°C
0
500
1000
diF /dt (A/μs)
0
5
10
15
20
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
QR
10
22
47
100
8.0A
4.0A
2.0A
C
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
0
2
4
6
8
10
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
8
10
12
14
16
18
VGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
T
0
5
10
IF (A)
0
50
100
150
200
250
E
10
22
47
100
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGB4061DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4064DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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